師資
汪青博士，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院研究教授、正高級(jí)研究員，博士生導(dǎo)師，深圳市高層次人才，廣東省GaN器件工程技術(shù)研究中心副主任，深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，IEEE Senior member， IEEE EDS (Electron Devices Society) Power Devices and ICs 委員會(huì)委員，長(zhǎng)期從事 GaN材料和器件領(lǐng)域研究工作，先后主持了國(guó)家自然科學(xué)基金、廣東省自然科學(xué)基金、廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目、深圳市基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目等，在IJEM、?Adv. Sci.?， IEEE EDL等國(guó)際主流會(huì)議/期刊上發(fā)表90多篇高水平學(xué)術(shù)論文，授權(quán)/申請(qǐng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利50余項(xiàng)和PCT專利5項(xiàng)，參與制定1項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、1項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。主要研究方向?yàn)镚aN功率器件和射頻器件，綜合設(shè)計(jì)及制備適用于5G通訊、AI電源、人形機(jī)器人、新能源等領(lǐng)域的GaN基器件及系統(tǒng)。
教育經(jīng)歷
2013年，華南理工大學(xué)，材料物理與化學(xué)，博士
2008年，西南大學(xué)，材料物理，學(xué)士
工作經(jīng)歷
2023/8-至今，南方科技大學(xué)，研究教授、博士生導(dǎo)師
2019/4-2023/7，南方科技大學(xué)，研究副教授、碩士生導(dǎo)師
2013/7-2019/1，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司，歷任研發(fā)中心高級(jí)工程師、事業(yè)部副經(jīng)理、研發(fā)部經(jīng)理和制造部主任
獲得獎(jiǎng)項(xiàng)
2023年，中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)創(chuàng)新獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)（排名第二）
2021年，深圳市高層次人才
2021年，南方科技大學(xué)工學(xué)院“優(yōu)秀共產(chǎn)黨員”
2019年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟“年度突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”
研究方向
GaN功率器件及集成電路
GaN射頻器件及PA模塊
GaN智能傳感系統(tǒng)
Ga2O3器件和集成電路
代表性項(xiàng)目
2023.1-2025.12 廣東省自然科學(xué)基金青年提升項(xiàng)目，項(xiàng)目主持，排名第一，經(jīng)費(fèi):30 萬(wàn)
2022.10-2025.10 深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)基礎(chǔ)研究面上項(xiàng)目，項(xiàng)目主持，排名第一，經(jīng)費(fèi):30萬(wàn)
2021.8-2024.8，深圳市基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目，合作單位負(fù)責(zé)人，排名第一，經(jīng)費(fèi):250萬(wàn)。
2021.2-2021.12，900V耐壓GaN功率器件研發(fā)，橫向項(xiàng)目，項(xiàng)目主持，排名第一，經(jīng)費(fèi):200萬(wàn)。
2020.11-2023.3.深圳市基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目，項(xiàng)目骨干，排名第二，經(jīng)費(fèi):250萬(wàn)。2018.1-2020.1，國(guó)家自然科學(xué)委員會(huì)青年科學(xué)基金，項(xiàng)目主持，排名第一，經(jīng)費(fèi):24萬(wàn)，已結(jié)題。
2014.9-2016.5，中國(guó)博士后科學(xué)基金項(xiàng)目，項(xiàng)目主持，排名第一，經(jīng)費(fèi):5萬(wàn)，已結(jié)題。
2014.10-2017.9，廣東省公益研究與能力建設(shè)專項(xiàng)項(xiàng)目，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，排名第一，經(jīng)費(fèi):200萬(wàn)，已結(jié)題。
2017.7-2020.12.，“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃，項(xiàng)目骨干，子課題副組長(zhǎng)，排名第二，經(jīng)費(fèi):200萬(wàn)。
代表專利
1. 一種GaN器件及其制備方法，授權(quán)發(fā)明專利
2. 一種用于GaN生長(zhǎng)的具有隔離保護(hù)層的復(fù)合襯底制備方法，授權(quán)發(fā)明專利
3. 一種用于GaN生長(zhǎng)的低應(yīng)力狀態(tài)復(fù)合襯底的制備方法，授權(quán)發(fā)明專利
4. 一種用于GaN生長(zhǎng)的低應(yīng)力狀態(tài)復(fù)合襯底，授權(quán)發(fā)明專利
5. 一種GaN基復(fù)合襯底的制備方法，授權(quán)發(fā)明專利
6. 一種提高有機(jī)電致發(fā)光器件性能的陽(yáng)極修飾方法，授權(quán)發(fā)明專利
7. 片外大功率輸出級(jí)最佳直流偏置的自適應(yīng)校準(zhǔn)電路，PCT專利，審中。
8. 一種應(yīng)用于單工通信的可重構(gòu)高精度模_數(shù)，數(shù)_模轉(zhuǎn)換器，PCT專利，審中。
9. 蘭姆波諧振器及其制備方法，PCT專利，審中。
10. 一種InAlN射頻器件的制備方法，PCT專利，審中。
11. 無(wú)金歐姆接觸電極、半導(dǎo)體器件和射頻器件及其制法，發(fā)明專利，審中。
12. 一種p型氮化鎵基器件的電極及其制備方法和用途，發(fā)明專利，審中。
13. P型氮化鎵基器件、其歐姆接觸系統(tǒng)、及其電極制備方法，發(fā)明專利，審中。
14. 一種圖形化歐姆接觸電極的制備方法，發(fā)明專利，審中。
15. 一種氣體傳感器及其制備方法，發(fā)明專利，審中。
16. 一種體聲波諧振器的制備方法，發(fā)明專利，審中。
17. 一種氮化鎵氣體傳感器的集成方法，發(fā)明專利，審中。
代表性論文：
1. Yi Zhang, Zilong Xiong, Lewei He, Yang Jiang, Chenkai Deng, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Chuying Tang, Qiaoyu Hu, Mujun Li, Xiaohui Wang, Wenhui Wang, Han Wang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. Electrically reconfigurable surface acoustic wave phase shifters based on ZnO TFTs on LiNbO3 substrate[J]. International Journal of Extreme Manufacturing, 2025, 7(3): 035504.
2. Honghao Lu, Chun Fu, Chuying Tang, Mujun Li, Wenchuan Tao, Fangzhou Du, Hongyu Yu,and Qing Wang*. Low-Resistivity Ohmic Contact on p-GaN/AlGaN/GaN Enabled by Mg-Doped Spin-On-Glass Treatment[J]. IEEE Electron Device Letters, 2025.
3. ChuYing Tang, ChengKai Deng Yi Zhang, Yang Jiang, Chun Fu, Jiaqi He, Fangzhou Du, Peiran Wang, Kangyao Wen, Nick Tao, Wenyue Yu, Qing Wang*, and HongYu Yu*. Low Contact Resistivity of<10Ω·mm for Au-Free Ohmic Contact on p-GaN/AlGaN/GaN[J]. IEEE Electron Device Letters, 2024.
4. Fangzhou Du, Yang Jiang, Ziyang Wang, Kangyao Wen, Mujun Li, Xiaohui Wang, Yi Zhang, Chenkai Deng, Qing Wang*, Hongyu Yu*. High-Performance InAlN/GaN HEMTs and Monolithically Integrated Inverters Enabled by InAlOxN1-x Plasma-Induced-Oxidation Charge Trapping Layer. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025. (Accepted)
5. Yang Jiang, Fangzhou Du, Ziyang Wang, Kangyao Wen, Mujun Li, Yifan Cui, Han Wang, Qing Wang*, Hongyu Yu*. Dynamic Performance Analysis of GaN Digital Logic Gate Circuits for MHz-level Operation via CTL-based ICs Platform. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025. (Accepted)
6. Mujun Li, Xiaohui Wang, Yang Jiang, Fangzhou Du, Haozhe Yu, Qing Wang*, Hongyu Yu*. Monolithie Integrated-Ga2O3 Inverters Based on Charge Trapping Layer E-mode MOSFETS. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025. (Accepted)
7. Yang Jiang, Shuhui Shi, Shaocong Wang, Fangzhou Du, Peiran Wang, Ning Lin, Wennao Li, Yi Zhang, Leiwei He, Robert Sokolovskij, Jiaqi He, Mujun Li, Dingchen Wang, Xi Chen, Qing Wang*, Hongyu Yu*, and Zhongrui Wang*. In-sensor Reservoir Computing for Gas Pattern Recognition using Pt-AlGaN/GaN HEMTs. Device (2024).
8. Yang Jiang, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Jiaqi He, Mujun Li, Chuying Tang, Yi Zhang, Zhongrui Wang*, Qing Wang*, Hongyu Yu*. High V TH and Breakdown Enhancement-Mode GaN HEMTs for Power ICs Application Using Charge Trapping Layer. 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2024.
9. Yang Jiang, FangZhou Du, KangYao Wen, JiaQi He, PeiRan Wang, MuJun Li, ChuYing Tang, Yi Zhang, ZhongRui Wang *, Qing Wang*, HongYu Yu*. Charge trapping layer enabled high-performance E-mode GaN HEMTs and monolithic integration GaN inverters. Applied Physics Letters. 10 June 2024; 124 (24): 242102.
10. Yi Deng, Yi Zhang*, Xinyuan Zhang, Yang Jiang, Xi Chen, Yansong Yang, Xin Tong, Yao Cai, Wenjuan Liu, Chengliang Sun, Dashan Shang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. MEMS Oscillators-Network-Based Ising Machine with Grouping Method. Advanced Science. 2024, 2310096.
11. JiaQi He, PeiRan Wang, FangZhou Du, KangYao Wen, Yang Jiang, ChuYing Tang, ChenKai Deng, MuJun Li, QiaoYu Hu, Nick Tao, Peng Xiang, Kai Cheng, Qing Wang*, Gang Li, HongYu Yu*. Improved breakdown performance in recessed-gate normally off GaN MIS-HEMTs by regrown fishbone trench. Applied Physics Letters .25 March 2024; 124 (13): 132104.
12. Chuying Tang, Chun Fu, Yang Jiang, Minghao He, Chenkai Deng, Kangyao Wen, Jiaqi He, Peiran Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qiaoyu Hu, Nick Tao, Qing Wang*, HongYu Yu*. Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au Ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity. Applied Physics Letters. 28 August 2023; 123 (9): 092104.
13. Chu-Ying Tang, Hong-Hao Lu, Ze-Peng Qiao, Yang Jiang, Fang-Zhou Du, Jia-Qi He, Yu-Long Jiang*, Qing Wang*, and Hong-Yu Yu*, Ohmic Contact with a Contact Resistivity of 12 Ω·mm on p-GaN/AlGaN/GaN, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1412–1415.
14. Yang Jiang, Dingchen Wang, Ning Lin, Shuhui Shi, Yi Zhang, Shaocong Wang, Xi Chen, Hegan Chen, Yinan Lin, Kam Chi Loong, Jia Chen, Yida Li, Renrui Fang, Dashan Shang*, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. Spontaneous Threshold Lowering Neuron using Second-Order Diffusive Memristor for Self-Adaptive Spatial Attention, Advanced Science, 2023, 2301323.
15. Yang Jiang, Wenmao Li, Fangzhou Du, Robert Sokolovskij, Yi Zhang, Shuhui Shi, Weiguo Huang, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. Comprehensive review of gallium nitride (GaN)-based gas sensors and their dynamic responses, Journal of Materials Chemistry C, 2023,11, 10121-10148
16. Chuying Tang, Chun Fu, Yang Jiang, Minghao He, Chenkai Deng, Kangyao Wen; Jiaqi He, Peiran Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qiaoyu Hu, Nick Tao, Qing Wang* and HongYu Yu*，" Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au Ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity". Applied Physics Letters， Vol.123, Issue 9, 092104 (2023).
17. Jiaqi He, Kangyao Wen, Peiean Wang, Minghao He, Fangzhou Du, Yang Jiang, Chuying Tang, Nick Tao, Qing Wang*, Gang Li*, and Hongyu Yu*, Interface charge engineering on an in-situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally-off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance, Applied Physics Letters (2023), 4 September 2023; 123 (10): 103502.
18. Minghao He, Kangyao Wen, Chenkai Deng, Mujun Li, Yifan Cui, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Kah-Wee Ang*, "Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off β-Ga2O3 MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 6, pp. 3191-3195, June 2023.
19. Chenkai Deng, Wei-Chih Cheng, XiGuang Chen, KangYao Wen, MingHao He, ChuYing Tang, Peiran Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*; Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiNx stressor passivation. Applied Physics Letters. 5 June 2023; 122 (23): 232107.
20. Yang Jiang, FangZhou Du, JiaQi He, ZePeng Qiao, ChuYing Tang, XinYi Tang, ZhongRui Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*，"Microscopic formation mechanism of Si/Tl5Al1/TiN ohmic contact on non-recessed i-InAlN/GaN heterostructures with ultra-low resistance". Applied Physics Letters. 121, 212105 (2022).
代表著作：
1. 英文著作: Wang Qing, Yu Gang, Wang Jian, Organic Light-Emitting Materials and Devices (第一章), CRC Press, ISBN-13: 978-1-4398-8223-8, 2015.